欧洲杯有几个国家参加

甦州納維科技有限公司總經理

1979年10月生,于2001年、2006年先後獲得武漢大學學士和博士學位(與中科院半導體所聯合培養),此後一直從事GaN單晶襯底的制備及產業化開發。王建峰博士針對GaN生長裝備,創新的引入了在位光學監控系統,實現了生長速度和應力的實時監控,極大的推進了GaN材料研發;近5年以來,深入研究了GaN的HVPE生長機理和缺陷演化機制,采用周期掩膜、GaN納米柱陣列等中間層方法,獲得了無裂紋、高質量GaN材料,性能達到目前同類方法公開報道的最好值(位錯密度<105cm2,室溫電子遷移率1100cm?/V?s);利用摻雜技術,實現了2英寸非摻、N型摻雜和半絕緣補償摻雜GaN單晶襯底的研制。近3年以來,初步實現了4英寸GaN單晶襯底的制備。作為項目負責人和核心人員參加科技部863項目、國際合作項目、自然科學基金項目、中科院 STS 項目等10余項,申報相關核心專利20余項,在ICNS、APWS等重要國際會議上做特邀報告5次。項目申請人曾榮獲中國產學研促進性創新成果獎,中國科學院盧嘉錫青年人才獎,甦州市勞動模範獎勵。

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